高玉竹，在日本國立靜岡大學（Shizuoka University, Japan），取得工學博士學位（PhD），并取得訪問教授職位（Visiting Professor）。主要研究領域為Ⅲ－Ⅴ族紅外材料及探測器，IEEE學會職業會員（IEEE會員號：93117174），中國光學工程學會委員，國家基金委項目評議人。
中日友好時代，在日本留學期間，發明了一種新的晶體生長方法—熔體外延法（melt epitaxy，簡稱ME），是一種改進的液相外延法，用熔體外延法生長出了長波銦砷銻（InAsSb）厚膜單晶材料。在國外和國內都有發明專利（日本專利號：特開2000－86379，中國專利號：201310397546.0），在國際科學期刊上發表了一批論文。當時晶體生長雜志（Journal of Crystal Growth）的編委，美國斯坦福（Stanford）大學的Robert教授，把熔體外延法評價為“液相外延的一個重要的新發展”。熔體外延法，被寫進了世界著名科學出版社—英國威利（John Wiley & Sons, Ltd）出版的教科書里，書名是“電子學、光學、及光電子材料的液相外延”（Liquid Phase Epitaxy of Electronic, Optical and Optoelectronic Materials，Print ISBN: 9780470852903），取得了國際科學界的承認。
回國后，連續3次主持了國家自然科學基金面上項目。發表論文50余篇，其中SCI論文23篇，獲授權發明專利2項。目前，用熔體外延法，已經研制出了非制冷型中長波銦砷銻探測器，是光導型單點探測器，器件上裝有鍺浸沒透鏡。在室溫下（295 K），光譜響應的波長范圍為2~10微米，在波長6.5微米處，峰值探測率Dλp*為1~5×109cm·Hz1/2·W?1。響應時間為10-1微秒量級，響應速度比非制冷型熱探測器，快3個數量級以上。測量出的探測器性能指標，處于國際先進水平。這種非制冷型光子探測器，可使我國室溫工作的紅外整機的響應速度及抗干擾能力得到明顯提高。
