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半導體研究所教授余金中作“從電子集成到光子集成”主題報告，由張皓教授主持。
首先，余金中教授介紹了電子和光子的特性與區別，并描述了摩爾定律的發展歷程。從摩爾定律到延續摩爾，再到擴展摩爾，直至超越摩爾，光刻精度已經達到納米精度，已到物理極限，電子集成尋求三維結構和新材料的突破。然后,他介紹了光子集成的概念、特性、平臺以及光子集成的關鍵技術，包括襯底材料的選擇、硅基同InP基的比較、異質結構的外延生長、鍵合技術、硅基光子器件以及光子器件的耦合封裝等。接著，余金中教授介紹了Si3N4薄膜的特性，包括結構、折射率、波導損耗、工藝、臨界厚度等，也介紹了幾種最新的硅基光子芯片以及硅基光子集成路線。最后，余金中教授總結了信息技術的發展趨勢，主要表現在材料異質化、尺寸微型化、器件集成化、速率高速化、功耗低能化、信息網絡化、應用智能化。
報告結束后，余金中教授就電子集成和光子集成相關的問題與師生們進行了交流。他也根據自身經歷勉勵同學們要積極拓寬視野，努力探索、發現并解決新的科學問題。此次報告拓展了我校師生的視野，使大家領略到了科學家精神，增強了對電子集成與光子集成的認識與理解。（文/圖 張皓 王云姣）
